北京
来源：环球网
【环球网科技综合报道】6月6日消息，据thelec报道，韩国半导体企业 SK 海力士近日对外披露最新产能扩建方案，计划于2030至2031年实现 DRAM 晶圆投片产能翻倍，月度总产量冲刺100万片，扩容布局紧扣全球 AI 产业带动的存储市场增长趋势。
thelec报道截图
据行业信息显示，这份产能扩容路线图在2026台北国际电脑展举办前已编制落地。展会期间，英伟达相关负责人在 SK 海力士 DRAM 晶圆上寄语增产，直观反映出人工智能产业高速发展之下，高端存储芯片市场需求持续走高，成为企业加码产能建设的重要动因。近两个月，SK 海力士采购及龙仁半导体项目相关负责人已陆续向产业链上游主要供应商沟通详细扩产细则。
从产能布局来看，SK 海力士当前 DRAM 晶圆月投片量约55万片，其中我国无锡工厂月产能稳定在20万片。此次新增产能主要依托韩国龙仁半导体集群与清州 M15X 晶圆厂两大项目落地。龙仁首座晶圆厂规划6个独立洁净室，项目自2027年2月启动首间洁净室设备进场工作，单个洁净室落地后可新增6万片月产能，企业规划每间隔六个月投产一间洁净室。按建设时序测算，2030年上半年龙仁首座晶圆厂可累计新增36万片月度产能。与此同时，清州 M15X 晶圆厂扩建工程稳步推进，项目将于今年下半年投产，起步月产能4万片，2027年产能进一步攀升至8万片。两大在建项目产能如期释放后，企业 DRAM 月产能有望达标百万片规划。
在 NAND 闪存业务领域，SK 海力士暂缓大规模新建产线，发展重心聚焦工艺迭代升级，重点推进闪存堆叠层数技术优化，依靠技术迭代挖掘现有产线产能潜力。该扩产部署与 SK 集团管理层此前提出的五年整体晶圆产能翻番的发展思路形成呼应。（纯钧）
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