上海
SK海力士正借助AI芯片需求浪潮，加速推进美国上市计划，并向投资者传递出强烈的市场信心信号。
据路透社援引一位知情人士透露，SK海力士本周向部分投资者表示，其美国上市计划获得了股东"极度正面"的反馈，理由是AI需求旺盛以及公司在存储芯片市场的竞争优势。
与此同时，该公司预计其高带宽存储芯片（HBM）的有利定价环境将延续至明年，相关客户谈判正在进行中。
此次路演释放的积极信号，进一步巩固了市场对SK海力士赴美上市的预期。该公司已于今年秘密提交美国上市申请，据悉募资规模最高可达140亿美元，但具体规模与时间表尚未确定，美国证券交易委员会（SEC）的审查程序仍在进行中。
市值破万亿，AI需求驱动股价狂飙
SK海力士今年以来股价累计涨幅高达250%，上周市值突破1万亿美元，成为继台积电和三星电子之后，亚洲第三家跨越这一里程碑的企业。
这一涨势的核心驱动力，是AI数据中心对先进存储芯片需求的爆发式增长。AI算力基础设施的快速扩张导致存储芯片供应严重短缺，波及智能手机和个人电脑等下游行业，而SK海力士和三星等头部存储芯片厂商则从芯片价格飙升中直接受益。
作为英伟达的主要供应商，SK海力士在HBM市场占据领先地位，这一竞争优势是投资者对其美国上市计划给予积极回应的重要原因之一。
赴美上市：打通美国机构投资者渠道
SK海力士推进美国存托凭证（ADR）发行的核心逻辑之一，在于拓宽投资者基础。知情人士表示，部分美国机构投资者因内部授权限制，仅能投资在美上市股票，美国上市将使SK海力士得以直接触达这一庞大资金池。
SK海力士表示："SK海力士计划于2026年内发行ADR，但包括规模和时间在内的具体细节尚未确定。"公司同时表示，由于SEC审查仍在进行，无法就上市进程提供具体更新。
HBM定价前景乐观，供需缺口或延伸至2027年
在市场展望方面，SK海力士向投资者传递了较为积极的信号。知情人士称，公司预计HBM芯片的有利定价环境将持续至明年，目前正就这类用于AI芯片组的先进存储芯片的未来定价与客户展开谈判。
此外，SK海力士还指出，英伟达下一代Vera Rubin AI平台对LPDDR存储芯片——一种通常应用于手机和平板电脑的低功耗芯片——的强劲需求，可能从2027年起进一步收紧整体存储市场的供应。
面对潜在的供需失衡，SK海力士表示将调整投资计划和产品结构以最大化产出，但同时也坦承，鉴于需求预计将大幅超过供给，公司难以保证能够完全满足所有需求。
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