【硬件资讯】三星美光准备角逐HBM4E，传三星已开始交付！但还有厂商在闷声发大财！

新 闻1：美光将选择台积电生产HBM4E基础裸片，DRAM芯片改用1γ工艺

今年3月，美光公布了2026财年第二财季财报（截至2026年2月26日），季度营收为238.6亿美元，大幅超出美光之前187亿美元的预期。同时美光预计2026财年第三财季的营收在335亿美元左右，也远高于242.9亿美元的市场平均预期，将再次取得新纪录。过去两个月里，美光的前景似乎变得更加乐观，同时透露了更多关于其定制HBM开发的进展和细节。

据TrendForce报道，最近美光全球运营执行副总裁Manish Bhatia在摩根大通全球科技、媒体与通信会议上表示，美光首款HBM4E将是一款符合JEDEC标准的产品，量产时间定于2027年。

目前美光采用了第五代10nm级别1ß (1-beta) DRAM工艺制造HBM4，到了HBM4E时代，将转向更先进的第六代10nm级别1γ (1-gamma) DRAM工艺。业界将在HBM4E时代迎来大规模的定制HBM设计，以进一步提升性能，并降低延迟，为此美光也准备了适用于标准版和定制版的HBM4E基础裸片（Base Die）。

三星及SK海力士从HBM4时代开始，都将基础裸片的生产转移到代工厂。其中三星选择了自家的代工厂，而SK海力士则与台积电合作。相比之下，美光的态度更为谨慎，出于成本方面的考虑，HBM4仍然采用与DRAM一样的内部CMOS工艺生产基础裸片，直到HBM4E才转换。与SK海力士一样，美光选择也是台积电，这一点已经得到了Manish Bhatia的确认。

当被问及定制HBM产品的利润结构时，Manish Bhatia强调价值的创造源自多个独有层面，包括设计创新、强大的核心DRAM开发、以及先进的封装技术。个性化服务是这一价值拓展的下一阶段发展，随着价值的提升，客户也会愿意为额外的定制化服务买单。

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根据美光官方的说法，美光现在HBM4增产进度非常顺利，已经开始筹划HBM4E的生产工作。不过，对于没有自己的先进半导体生产能力的美光来说，HBM4E需要的高精度制程基板成了最大的问题。根据美光的说法，他们将会与台积电合作生产，但台积电近期的涨价以及产能紧张……让我对美光在HBM4E领域的处境不得不抱有悲观的预期啊……

新 闻 2： 三星开始交付业界首批HBM4E样品，12层堆叠，48GB容量，14Gbps速率

三星宣布，今天开始向全球范围内的主要客户交付业界首批12层堆叠HBM4E样品，进一步巩固自身在下一代HBM市场的领导地位。

继今年早些时候实现行业首批HBM4大规模生产和商业出货后，三星抢先交付HBM4E样品，以继续推进其HBM路线图，满足人工智能（AI）计算和超大规模基础设施快速变化的需求。三星希望通过先进的制造能力和抢先基础设施投资，持续推动全球AI存储器市场的增长。

三星的HBM4E提供了稳定的14Gbps速率，未来可继续提高至16Gbps，以支持日益复杂的数据处理需求。其每堆栈最高可达3.6TB/s的带宽，比起HBM4提高了20%以上，可以更好地助力LLM和下一代AI系统。12层堆叠HBM4E提供了48GB容量，比起上一代产品也提高了30%以上，计划根据客户的需求，可提供32GB（8层堆叠）和64GB（16层堆叠）配置。

这次HBM4E充分利用了三星的半导体能力，并结合了之前在HBM4生产实践中不断完善的前沿技术，包括业内最先进的1cnm（第六代10nm级别）工艺制造DRAM芯片，还有4nm基础裸片（Base Die），使其具备了更高的工艺稳定性和制造可行性。

三星还优化了设计和工艺，提升了HBM4E的性能、能效和良品率。特别是先进的低功耗设计技术和优化的封装结构，使能效提升了16%，热阻特性比上一代提升了14%以上。这些改进得到了更高效的散热，以支持下一代数据中心实现更长时间的可靠性和更低的能耗。

三星计划在初步样品发货及优化后，按照客户进度开始HBM4E的量产。

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相较而言，拥有自己先进半导体生产能力的三星就要迅速得多。据传，三星已经开始向业界主要客户交付HBM4E的样品。从目前已知信息来看，三星的HBM4E是非常优秀的，且未来还有优化和进步空间。考虑到目前AI芯片的巨大需求，三星很可能会像此前的海力士一样，利用先发优势抢占市场，不知道其他两家跟进的怎么样了。

新 闻3： DDR4短缺影响南亚科技转向生产DDR5，通用DRAM利润率已高于HBM

今年初，南亚科技（Nanya）完成了规模约787.18亿新台币的私募融资，计划将所得资金用于投资先进DRAM制造，以适应未来人工智能（AI）计算带动的内存增长需求。与三大原厂一样，南亚科技也打算逐步减少DDR4和LPDDR4产量，转向生产收益更高的DDR5。

据TrendForce报道，由于三大原厂开始淘汰DDR4和LPDDR4生产线，南亚科技成为了关键受益者。南亚科技称，由于DDR4和LPDDR4供应严重短缺，许多客户积极寻求长期合同以保障稳定供应，合同期限最长可达三年。

对于南亚科技来说，大量订单涌入是好事情，但是也影响了其产品结构转型。目前南亚科技销售的DRAM里，DDR5约占10%，原本打算继续提高比重，不过持续的DDR4和LPDDR4供应短缺限制了生产线的转换，短期内仍然要满足客户对旧款DRAM的订单需求。

过去几年里，HBM是DRAM各个细分市场中最耀眼的明星，有着极高的利润率。令人有点想不到的是，仅仅过去一年，通用DRAM的价格飙升让市场行情出现了反转，现在通用DRAM无论是哪一个细分市场，利润率均已高于HBM。

南亚科技仍然在推动新款DRAM的开发，计划今年开始试产8Gb/16Gb LPDDR5，下半年完成资格认证。另外南亚科技也在扩大产能，新工厂预计2027年开始安装设备，最快2027年末起贡献产能，预计其总产能两到三年内增长80%至100%。

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但在大厂们卷HBM的时候，存储厂商南亚则在一个大家没想到的领域闷声发大财。随着主要厂家停产DDR4、LPDDR4，直接导致了市场价格飞涨，而保有较大比重DDR4生产能力的南亚直接拿下这个机会，在DDR4时代后期，南亚也拿出过A Die这样性能不错的明星产品，产能与性能都能保证，目前，通用DRAM利润率已高于HBM。

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