北京
国家知识产权局信息显示，武汉新创元半导体有限公司申请一项名为“用于FCBGA单颗产品的电性能测试夹具、系统及测试方法”的专利，公开号CN122109788A，申请日期为2026年3月。
专利摘要显示，本发明公开了用于FCBGA单颗产品的电性能测试夹具，FCBGA单颗产品为矩形结构；夹具基板固定安装在外部飞针测试机台；在夹具基板上设有多个矩形的测试位，用于安放FCBGA单颗产品；测试位的尺寸大于最大规格的矩形FCBGA单颗产品的尺寸；L型基准块固定在测试位的第一基准角，在L型基准块上设有内角，内角设计为与FCBGA单颗产品的第一角及两侧边相契合；条形挡块设在所述测试位的第二基准角，第一基准角和第二基准角为测试位对角线的两相对基准角；所述FCBGA单颗产品的第一角抵靠在L型基准块上，调节条形挡块抵靠在FCBGA单颗产品的第二角上；第一角和第二角为FCBGA单颗产品对角线上的两相对角。基于上述结构，改善飞针测试环节的效率与质量，满足对不同尺寸产品的测试工作。
天眼查资料显示，武汉新创元半导体有限公司，成立于2021年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本31451.7339万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉新创元半导体有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目11次，财产线索方面有商标信息18条，专利信息52条，此外企业还拥有行政许可74个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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