北京
国家知识产权局信息显示，卡尔蔡司SMT有限责任公司申请一项名为“光学元件和EUV光刻系统”的专利，公开号CN122122485A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本发明涉及一种用于反射EUV辐射（16）的光学元件（25），包括：基板（26），用于反射EUV辐射（16）的反射涂层（27），以及可蚀刻材料（29），所述可蚀刻材料被反射涂层（27）覆盖并且在与蚀刻介质（31）接触时被去除。在第一方面，反射涂层（27）处于机械预应力下，以便在反射涂层（27）损坏的情况下，当通过蚀刻介质（31）去除可蚀刻材料（29）时，使反射涂层（27）朝向基板（26）弯曲。在第二方面，所述可蚀刻材料（29）掺杂有掺杂剂（36），所述掺杂剂（36）在与所述蚀刻介质（31）接触时不被去除，并且当在所述反射涂层（27）损坏的情况下所述可蚀刻材料（29）被所述蚀刻介质（31）去除时，所述掺杂剂（36）优选地积聚在所述可蚀刻材料的蚀刻前沿（37）处。本发明还涉及一种EUV光刻系统，其包括至少一个这样的光学元件（25），该光学元件（25）在EUV光刻系统的操作期间暴露于蚀刻介质（31）。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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