国家知识产权局信息显示,矽力杰半导体技术(杭州)有限公司申请一项名为“非易失性存储模块的控制方法及存储电路”的专利,公开号CN122116982A,申请日期为2025年12月。
专利摘要显示,本发明公开了一种非易失性存储模块的控制方法及存储电路,不再将非易失性存储模块的擦除和写入操作进行连续执行,通过响应于非易失性存储模块的供电电压开始上升,所述非易失性存储模块对其内部寄存器的老数据进行擦除;响应于所述供电电压下降至欠压阈值,所述非易失性存储模块将新数据写入其内部寄存器中,本发明的技术方案通过将非易失性存储模块的擦除和写入操作分开控制,能够避免供电模块快速下电时数据写入非易失性存储模块异常的情况,进而优化了非易失性存储模块的控制方法。
天眼查资料显示,矽力杰半导体技术(杭州)有限公司,成立于2008年,位于杭州市,是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本6852万美元。通过天眼查大数据分析,矽力杰半导体技术(杭州)有限公司共对外投资了45家企业,参与招投标项目12次,财产线索方面有商标信息70条,专利信息881条,此外企业还拥有行政许可9个。
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本文源自:市场资讯
作者:情报员
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