河北
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（来源：第一财经资讯）
头部存储厂商开启了市值比拼。
三星电子（005930.KS）市值突破1万亿美元后，美股5月26日收盘，美光科技（MU.O）大涨19.29%，创下股价新高，市值站上1万亿美元。5月27日盘中，SK海力士（000660.KS）股价也一度上涨11%，市值突破1万亿美元大关。至此，最大的三家DRAM（动态随机存取内存）存储原厂市值都在万亿美元量级。
从收盘价看，美光是第二家市值站上万亿美元的DRAM存储原厂。从今年初到5月26日，美光股价累计上涨了2.14倍，若从2025年初开始算起，美光股价累计上涨9.68倍。
资本市场对三大存储原厂的关注与AI带动的需求增长相关，特别是与AI相关性最强的HBM（高带宽内存，一种DRAM），主要就来自这三家原厂。其中，SK海力士HBM市场份额最大，但美光追赶速度颇快。
三家原厂中，美光对HBM的投入也较多。据TrendForce集邦咨询统计，去年SK海力士占据HBM市场的一半以上，三星、SK海力士、美光HBM占公司内存产能的比例则分别为23%、18%和26%，美光HBM在内存中的比例偏高。为了实现追赶，此前美光曾跨过HBM3一代，直接投入HBM3e，并进入英伟达供应链。
机构预测今年美光仍有望抢得更多HBM市场。据TrendForce集邦咨询数据，去年SK海力士、美光和三星HBM生产位元占比分别为59%、20%、20%，今年SK海力士的占比预计缩小至50%，美光增加至28%。HBM市场规模预计同步扩大，预计今年将突破300亿Gb。
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不过，随着HBM4进入商业化周期，行业竞争也变得更激烈。有业界人士向记者分析，美光此前追上了HBM3e应用的时间点，并与SK海力士一同成为HBM市场最大需求方英伟达去年的主要供应商，三星去年则侧重AMD等其他客户。
但今年三星已在迎头赶上。随着英伟达产品迭代，三家HBM4供应商今年同时导入英伟达供应链。今年3月的英伟达GTC大会上，美光宣布为英伟达Vera Rubin设计的HBM4 36GB 12-high产品开始批量出货。三星也宣布，为Vera Rubin设计的第六代HBM4进入量产周期。
对美光而言，眼下最重要的工作包括推动HBM4生产顺利爬坡。在3月的财报电话会上，美光高管表示，随着HBM4的生产爬坡和批量出货的进行，预计HBM4达到成熟良率的速度将快于HBM3e。去年第三季度，该公司达到为HBM设定的目标，即HBM份额与DRAM整体份额持平，今年将同时供应HBM3e和HBM4。
不过，从DRAM整体收入来看，美光与另外两家原厂相比仍有差距。据市场研究机构闪存市场数据，按照去年第四季度DRAM原厂营收统计，三星市占率最高，占比37.1%，SK海力士和美光市占率分别为33.1%和20.8%。该季度NAND闪存营收排名中，三星和SK海力士位居前二，美光则位列第五，市占率11.6%，与其他两家差距明显。
从业绩变化看，在截至今年2月26日的季度中，美光营收同比增长196%至238.6亿美元，GAAP净利润同比增长数倍至137.9亿美元。该公司预计，2026年行业DRAM位元出货量将增长20%以上，NAND闪存位元出货量同比增长约20%，公司2026年的DRAM和NAND供应量增长幅度与行业大致持平。
市值站上了1亿美元的美光，当前也与其他存储原厂一同面临行业缺货、供应紧张的机遇和挑战，并同步建设产能。业界普遍预计，按照原厂建设进度，到2027年存储产品仍将维持供应紧张的状况。
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