一年涨价三倍 存储芯片“老兵”退场，谁在接盘？

在全球争夺AI基础设施产能背景下，越来越多存储芯片品类开始面临紧俏行情，产能转移造成的供需缺口正在持续放大。

在三星、铠侠、美光等国际大厂集体退出MLC（Multi-Level Cell，多层单元） NAND闪存市场的背景下，这一曾经不起眼的“老兵”，产品价格近期暴涨300%。由此造成的供应缺口，正对汽车电子、工业控制、医疗设备等产业造成潜在影响。

NAND行业的发展规律是通过纵向堆叠来进行扩容，MLC正如其名，一般采用二维平面堆叠方式，也就是2D NAND。目前行业主流已经迭代到TLC（Triple-Level Cell，三层单元）和QLC（Quad-Level Cell，四层单元）阶段，也就是进入3D NAND维度。

因此不难发现，上游存储供应商决定将MLC逐渐停产，有基于产品自身迭代的因素考量，也有将更多产能留给利润空间更高的产品的考虑。随着海外大厂陆续停产，也为国内产业链厂商带来一定发展机会。

涨价传导，供应断层

上游存储原厂在整体产能有限条件下，正退出一些薄利市场，MLC NAND就在此之列。

近期，Kioxia（铠侠）宣布停产部分旧制程产品，其中小容量TSOP封装产品、部分传统浮栅式（Floating Gate）2D NAND以及第三代BiCS FLASH产品将逐步退出市场。

TSOP封装主要用于低容量MLC NAND Flash存储器，有观点认为，此次铠侠宣布停产，意味着其或将退出该市场。

对此，铠侠中国区董事长兼总裁岡本成之近日回应道，这是基于新旧技术更替的考虑，也是行业普遍现象。

不止铠侠，此前三星、SK海力士和美光，也陆续宣布，MLC相关产品进入生命周期终结阶段，相关产线不再扩产。

据研究机构TrendForce集邦咨询调查，SK海力士和美光基本将MLC产量限制在满足现有客户需求的水平，缺乏扩产动力。因此，2026年全球MLC NAND闪存产能预计将同比下降41.7%，进一步加剧供需失衡。

一名存储行业从业者也向21世纪经济报道记者分析，产业链上游的存储原厂在技术迭代和利润目标驱动下，根据生命周期管理需要，对落后制程的产品进行淘汰，是行业性正常的产品开发行为。同时，将优质产能集中于企业级等高附加值领域也是普遍趋势。

在产能极为有限的背景下，MLC NAND这类“高龄”产品的价格反而开始大幅上扬。

CFM闪存市场分析师杨伊婷告诉21世纪经济报道记者，消费类MLC eMMC原厂供应基本已经停止，三星车规级MLC明年一季度停止供应，使得现货市场MLC eMMC价格涨幅剧烈，8GB eMMC最高出现110美元的极端价格。

Counterpoint Research高级分析师Jeongku Choi也对21世纪经济报道记者指出，其月度存储追踪数据（Monthly Memory Tracker）显示，MLC NAND价格同比上涨约300%。以16Gb MLC NAND为例，价格从2025年一季度的约3.2美元上涨至预计2026年二季度的约12.9美元。

“这一轮价格上涨主要由MLC产品持续退市（EOL）所引发的供需失衡推动。”Jeongku Choi进一步指出，当前MLC NAND价格快速上涨的核心原因在于退市节奏明显加快。“从过去情况来看，EOL通常会在数年时间内逐步完成，但本轮MLC NAND的退出周期被压缩至约一年内完成。同时，AI需求快速增长推动产能向服务器相关产品倾斜，进一步加剧了MLC供应紧张。”

MLC NAND的终端需求主要来自工控、车用电子、医疗设备和网通等领域，这些应用对产品可靠度、写入寿命、长期供货承诺要求极为严格。其中，汽车行业受影响最为明显。

杨伊婷对21世纪经济报道记者指出，车规级MLC eMMC应用主要在T-BOX、仪表、HUD、中低端座舱等领域。“一般使用MLC的地方对性能容量要求低，基本不需要用到大容量UFS，够用即可。而车规级芯片和模块验证周期很长，且车规级零部件量产生命周期至少在3—5年，汽车以年为单位与原厂谈年价和供应，对AI存储供需的即时变化并不敏感，此前一度低估了存储供应短缺的严重程度，以及原厂停止MLC产线集中产能做高价值服务器存储的决心，使得汽车在存储涨价、缺货中受到的冲击最为明显。”

国产补位，商用转移

面对MLC供应断层，部分具备承接能力的厂商已开始行动。

TrendForce集邦咨询表示，因为MLC NAND Flash长期供货的供应体系出现断层，长期聚焦嵌入式与高可靠度存储器市场的旺宏，相对具备承接这项利基型需求的优势。旺宏已减少原有NOR Flash产能，以扩大MLC NAND Flash供应。

Jeongku Choi则对记者指出，当前2D NAND供给缺口较难完全填补。“国内厂商中，长江存储（YMTC）具备相对最大的可用产能，但其同样将优先满足服务器端对TLC与QLC产品的需求，以抓住AI带来的结构性机会，因此可用于缓解MLC短缺的空间有限。”

当然按照常规，终端市场终究会逐渐采用新一代技术和产品，因此转向更高工艺制程的TLC产品正成为趋势。

杨伊婷对记者表示，除铠侠继续供应车规级eMMC至2028年以外，国内存储厂商MLC也在通过自行设计及流片尝试填补部分供应缺口，同时汽车将加速64GB TLC eMMC/UFS的验证使用。

“下游MLC NAND应用确实将逐步向TLC迁移。”Jeongku Choi对记者指出，与仍在汽车等长生命周期基础设施中保持重要性的传统DRAM不同，MLC NAND在性能上已被SLC超越，在成本效率上又被TLC和QLC取代，其竞争优势正在被双向压缩。

“下游市场已开始向TLC和QLC迁移以降低成本，而随着上游MLC供应持续收紧，这一替代趋势预计将进一步加速。”但他也提到，由此带来的BOM成本上升，将压缩下游厂商利润，其中以服务网络设备厂商及大型OEM的工业与嵌入式供应商受影响最为明显。

集邦咨询也提到，长期来看，MLC NAND的主要终端市场成长幅度有限，且若部分应用加速导入强化版TLC解决方案，或整体NAND Flash市场景气明显反转，MLC产品价格仍可能间接承压。

从“大宗商品”到“利基奢侈品”，MLC NAND的命运变迁是AI时代存储产业资源再分配的一个缩影。上游原厂在资本支出和洁净室空间有限的前提下，毅然将产能向HBM、高层数3D NAND等更高利润产品倾斜，而曾经支撑汽车、工控、医疗等实体产业稳定运行的成熟存储产品，则因单位产值低而被加速淘汰。

这一趋势短期内难以逆转，下游终端市场不得不加速技术替代和供应链重构。

对于国内存储厂商而言，能否在海外巨头退出的间隙中，以稳定的供货能力和可靠的产品质量赢得客户信任，并在专利壁垒之下找到自主创新的突破口，将决定中国存储产业在这场全球格局重塑中能否真正站稳脚跟。