北京
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国家知识产权局信息显示，应用材料公司申请一项名为“具有选择性介电常数降低之光定义半导体元件的结构及技术”的专利，公开号CN122070792A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，一种半导体元件可包括基板。所述半导体元件亦可包括至少部分以介电常数为特征的介电材料。所述半导体元件可包括形成在所述介电材料中的金属路径。所述半导体元件可包括所述半导体元件的所述金属路径周围的区域，所述区域可包括所述介电材料内的多个气隙，且所述气隙在整个所述区域中以三维方式布置，其中所述区域可包括比所述介电材料的所述介电常数更低的介电常数。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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