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国家知识产权局信息显示，恩智浦有限公司申请一项名为“耐应力半导体装置和电平移位器”的专利，公开号CN122052769A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，提供耐应力半导体装置、包括耐应力半导体装置的电平移位器，和由电平移位器控制的电力开关。耐应力半导体装置包括：源极端，栅极端，栅极控制端和漏极端。第一晶体管具有连接到源极端的源极、连接到栅极端的栅极，和漏极。第二晶体管具有连接到第一晶体管的漏极的源极、连接到栅极控制端的栅极，和漏极。第三晶体管具有连接到第二晶体管的漏极的源极、连接到漏极端的漏极，和栅极。第四晶体管具有连接到栅极控制端的漏极、连接到漏极端的栅极，和源极。第五晶体管包括连接到第四晶体管的源极的源极、连接到栅极控制端的栅极，和连接到漏极端的漏极。第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管的导电性类型与第四晶体管和第五晶体管的导电性类型相反。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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