台积电同时开建18座工厂

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台积电今(14) 日举办技术论坛，营运组织先进技术工程副总经理田博仁表示，为满足全球客户快速成长需求，台积电正以过去两倍速度推进全球产能扩张，现阶段正在全球新建与改造18 座晶圆厂，其中包括5 座先进封测厂，将同步强化先进制程晶圆产能与先进封装产能。

田博仁指出，台积电2017 年至2024 年平均每年新建4 座新厂，但2025 年至2026 年间，扩张速度将提升至每年9 座新厂，显示公司正加速回应AI、高效能运算(HPC) 与先进封装需求快速成长。 2026 年，台积电计划在台湾新建4 座晶圆厂与2 座先进封装厂，并持续推进全球12 吋晶圆厂布局。

美国第二座厂2027 年下半年生产N3 制程

在海外布局方面，美国亚利桑那州厂区已完成现有厂区与新土地取得，以支援后续扩张计划。田副总表示，亚利桑那第一座晶圆厂已于2024 年底开始生产N4 制程，预计2026 年产出将年增1.8 倍；第二座晶圆厂预计2026 年下半年开始设备移入，并于2027 年下半年开始生产N3 制程；第三座晶圆厂已在2025 年上半年动工，第四座晶圆厂与第一座先进封装厂也已进入初期建设阶段。

日本28/22 纳米良率已达台湾水准

日本熊本方面，第一座晶圆厂已进入28 纳米与22 纳米量产；第二座晶圆厂已于2025 年开始建设，预计生产N3 制程。田博仁表示，熊本厂2026 年N28 与N22 产出目标，将达2025 年的2.3 倍，且28 奈米、22 奈米良率已达与台湾厂相当水准。

欧洲布局部分，德国德勒斯登ESMC 建设进度顺利，该厂将聚焦汽车与工业应用，支援欧洲客户采用28 纳米、22 纳米、16 纳米与12 纳米制程技术。中国大陆厂区则将持续提供16 纳米与28 纳米产品。

台湾是扩产核心

台湾仍是台积电先进制程与先进封装扩产核心。田博仁指出，目前台湾共有12 座晶圆厂或先进封装厂正在建设中，其中新竹20 厂与高雄22 厂是N2 及更先进制程量产基地，两座晶圆厂已开始量产；台中25 厂则已于2025 年动工，计划2028 年开始量产，预计生产2 纳米及更先进制程。

N2 首年产出比N3 多45%

先进制程方面，田博仁表示，台积电最先进N2 制程已进入量产，良率学习曲线优于N3 同期进度，后续以N2 为基础、搭配A16 制程，也将按计划如期量产。为支援客户对2 纳米制程的强劲需求，台积电在研发与营运团队「One Team」协作下，将于2026 年同步启动多座晶圆厂，N2 量产第一年产出将较N3 同期高出45%，2026 年至2028 年N2 产能预计将以约70% 的年复合成长率扩大。

N3/N5 产能至2027 年CAGR 达25%

除N2 外，台积电也将持续扩大N3 与N5 产能。田博仁指出，尽管N3 与N5 制程技术复杂度高于N7，但量产初期表现已优于N7；2022 年至2027 年，N3 与N5 产能将以约25% 的年复合成长率扩充，并透过不同制程节点间的弹性配置，提高产能调度效率。

2027 年前先进封装产能CAGR 逾80%

在先进封装方面，田博仁表示，CoWoS 与SoIC 等3DIC 技术持续推进，SoIC-X 已进入量产阶段，相关产能预期将有超过80% 的成长。为满足AI 应用对先进封装的强劲需求，台积电2022 年至2027 年将以超过80% 的年复合成长率，积极扩充CoWoS 与相关3DIC 产品产能。

AI 开始导入工厂

田博仁也强调，在新产能到位前，台积电将透过数位化与AI 驱动技术，提高既有先进制程产出。公司已将N3、N5、N7 厂区串联，并透过AI 进行跨厂区最佳化；智能排程、机台日志分析、反应室状态判断与新机台验证等应用，也有助于提升机台效率、缩短生产周期，并缩短逾20% 的量产导入时间。

绿色制造方面，台积电重申2050 年达成净零排放目标，并透过再生能源、节能机台与低碳原物料等措施，于2025 年达成减碳380 万吨。废弃物管理方面，台积电目标将自行资源化比例提升至70%、整体废弃物再利用率提升至98%；水资源管理则以2040 年达成100% 水资源正效益为目标。

（来源：内容来自半导体行业观察综合）

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