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随着全球存储制造商转向高容量解决方案并逐步淘汰传统2D NAND，低容量通用NAND芯片供应急剧收紧，导致现货价格飙升。近期，据《朝鲜日报》报道，64Gb MLC NAND现货价较2025年底水平暴涨超300%，近期交易价在20至28美元区间。
主要NAND供应商正积极将2D NAND产能转向HBM和先进3D NAND，推动整体价格上涨。《朝鲜日报》称，三星3月起逐步关闭其华城12号线的2D NAND生产，将该产线改造为1c DRAM后端工厂。报道还指出，三星MLC NAND产品将在6月最后一批出货后停止发货，实际关闭其最后一座2D NAND生产据点，该产线月晶圆产能为8万至10万片。
据全球市场研究机构TrendForce集邦咨询调查，铠侠、SK海力士和美光也基本将MLC产量限制在满足现有客户需求的水平，缺乏扩产动力。因此，2026年全球MLC NAND闪存产能预计将同比下降41.7%，进一步加剧供需失衡。
据媒体报道，铠侠于今年3月31日发布停产通知，称部分浮栅型和第三代BiCS FLASH产品将于2028年停产。《朝鲜日报》补充称，该公司计划在今年9月底前接收最后订单，2028年12月前完成最后出货，自2029年起全面退出2D NAND和第三代BiCS FLASH。
美光方面，仅维持满足现有客户需求的MLC NAND产量水平，并宣布终止其消费品牌英睿达的零售业务。
资料显示，MLC每个存储单元存储2比特数据，虽然容量低于3比特TLC和4比特QLC，但数据保存性和耐用性更强。然而由于盈利能力薄弱，MLC逐渐被挤出市场。
与此同时，在人工智能需求激增的背景下，存储巨头正将产能转向更高层数的3D NAND。SK海力士已量产321层NAND并向客户供货。NAND已成为三星下一轮战略布局的重点，核心是400层级别（V10）器件。铠侠计划在2026年左右开始量产其第十代NAND闪存（332层），以瞄准生成式AI推动下对高速、低功耗存储的激增需求。（文章来源：TrendForce News）
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