北京
国家知识产权局信息显示，北京紫光青藤微系统有限公司申请一项名为“一种提升晶体管良率工艺方法、晶体管及半导体存储器”的专利，公开号CN121985530A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本公开提供的一种提升晶体管良率的工艺方法、晶体管及半导体存储器，包括：在硅衬底上形成第一栅极层；在第一栅极层背离硅衬底的一侧形成第二栅极；沿平行于硅衬底所在平面的方向上，在第二栅极上形成第一氧化物层；第一氧化物层采用四乙氧基硅烷进行化学气相沉积而成，刻蚀第一氧化物层形成第一氧化物挡墙，第一氧化物挡墙至少覆盖第二栅极的侧壁；完成晶体管的其他部分的制作。采用四乙氧基硅烷沉积形成的二氧化硅薄膜不会产生硅颗粒，可有效降低晶体管及晶圆制造过程中的缺陷，提高晶圆良率，降低存储单元异常的概率。
天眼查资料显示，北京紫光青藤微系统有限公司，成立于2019年，位于北京市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本6597.7444万人民币。通过天眼查大数据分析，北京紫光青藤微系统有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目6次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息457条，此外企业还拥有行政许可5个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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