北京
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国家知识产权局信息显示，中国科学院深圳先进技术研究院;湖北兴发化工集团股份有限公司申请一项名为“一种堆叠衬底诱导黑磷线择优生长的方法”的专利，公开号CN121951706A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本申请涉及半导体材料技术领域，特别涉及一种堆叠衬底诱导黑磷线择优生长的方法，包括以下步骤：首先，将红磷、金属锡、碘以一定比例混合均匀并放置反应器中；然后，将覆有金膜的硅/二氧化硅衬底进行预退火处理，在反应器中用多孔介质隔离原料，并在反应器另一端放置退火处理后的衬底；最后，将反应器置于加热器中进行升温反应，反应完毕后自然冷却至室温；取出衬底，得到不同形态的黑磷。本申请利用化学气相输运，先对金膜进行预处理，使其在高温下转变为分散金颗粒，以纳米颗粒为核诱导生长黑磷。且通过硅片的堆叠，实现空间限域生长来控制整体黑磷线的数量和长度，从而实现黑磷在衬底上的可控制备，整体反应温和，反应条件较低，成本较低。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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