北京
国家知识产权局信息显示，江苏超芯星半导体有限公司申请一项名为“一种碳化硅/金刚石多层复合膜及其制备方法”的专利，公开号CN121951492A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本发明提供了一种碳化硅/金刚石多层复合膜及其制备方法，多层复合膜中多晶碳化硅基体为底层，具有高强度、高刚度、高导热及抗氧化性；梯度SiC-C过渡层，成分由纯SiC渐变至富C-SiC，再至类金刚石碳，用于缓释热应力、增强结合力；纳米晶金刚石为顶层，具备高硬度、低摩擦系数、抗粒子冲刷及高红外透过率；通过化学气相沉积方法得到碳化硅/金刚石多层复合膜，工艺成熟，具有良好的导热性能、红外透过率，适用于工作环境十分恶劣的红外制导系统，如整流罩、光学窗口等光学材料。
天眼查资料显示，江苏超芯星半导体有限公司，成立于2019年，位于南京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1565.4879万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏超芯星半导体有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目11次，财产线索方面有商标信息44条，专利信息92条，此外企业还拥有行政许可17个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
