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国家知识产权局信息显示，西安交通大学;西安灵枫源电子科技有限公司申请一项名为“一种多规格SiC MOSFETs动态栅偏和动态反偏试验的测试装置和测试方法”的专利，公开号CN121955661A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本发明公开一种多规格SiC MOSFETs动态栅偏和动态反偏试验的测试装置和测试方法，该测试装置涵盖多个模块：上位机与模式及参数控制模块双向通讯，负责发送测试指令与参数，并接收测试状态反馈；隔离脉冲发生模块受模式与参数控制模块通讯控制，接收逻辑信号并生成脉冲；复合应力测试模块与隔离脉冲发生模块相连，接收脉冲信号并向待测器件施加动态应力。此复合应力测试模块功能强大，可实现主动动态反偏、被动动态反偏、动态栅偏DUT1、动态栅偏DUT2以及同步动态栅偏等多种测试模式，通过控制其内部通断组合即可灵活切换这些测试模式。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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