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国家知识产权局信息显示，桑迪士克科技股份有限公司申请一项名为“可编程电阻存储器元件的击穿缓解”的专利，公开号CN121963816A，申请日期为2025年4月。
专利摘要显示，用于降低可编程电阻存储器单元中的阈值切换选择器的阈值电压的技术。当控制电路以在可编程电阻存储器单元两端施加电压以便降低该可编程电阻存储器单元中的阈值切换选择器的阈值电压时，存储器系统对该电路施加第一控制信号以确立与该可编程电阻存储器单元、字线和位线串联的晶体管的第一电阻。该存储器系统对该电路施加第二控制信号以确立与该可编程电阻存储器单元、该字线和该位线串联的该电路的第二电阻以便读取选定可编程电阻存储器。该第二电阻低于该第一电阻。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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