斯达半导研发投入4.82亿元，同比增长35.94%；第七代、第八代IGBT芯片持续放量，车规级产品预计2026年量产

4月29日，斯达半导（603290）披露2025年年度报告。报告期内，公司全年研发投入达4.82亿元，同比增长35.94%，占营业收入比例12.00%。过去五年，公司研发投入复合增长率为34.32%。

制图：金融界上市公司研究院；数据来源：巨灵财经

研发投入变化背后，公司围绕核心技术攻关方向持续优化资源配置，为各项技术研发及产品落地提供充足支撑。

财报显示，报告期内公司依托深厚技术积淀，充分发挥“Fabless+IDM双轮驱动”业务模式优势，同步推动驱动IC、工业级及车规级MCU芯片与现有功率半导体业务深度协同融合。核心技术迭代方面，公司自主第七代微沟槽TrenchFieldStop技术相关750V、1200V IGBT模块持续放量，Plus版芯片已在多款主流800V高压双电控平台实现大批量交付；成功研发国际领先的1.2μm Pitch的第八代微沟槽IGBT芯片，结合第二代1400V SiC MOSFET芯片平台，发布了全球首个光伏地面电站组串式2000V系统的500KW逆变器功率模块解决方案。车规级产品研发进展顺利，第二代车规级SiC MOSFET芯片实现大批量出货，自建6英寸SiC芯片产线良率达到国际领先水平，车规级GaN HEMT模块获得主电机控制器平台定点，主频320MHz车规级MCU产品满足ISO26262 ASIL-D认证要求，预计2026年底实现小批量供货，PCB嵌入式功率模块已完成多轮车规级可靠性验证，预计2026年底在头部车企实现量产交付。此外，工业级MCU芯片已流片成功并在国内多家工控头部客户开展试用，变频白色家电领域不断丰富IGBT模块、分立器件、IPM、MCU、栅极驱动芯片等产品矩阵，可为客户提供全功率段全套电控解决方案。

年报信息显示，该公司是一家国内领先的功率半导体供应商，核心产品覆盖IGBT、SiC/GaN宽禁带半导体、MCU、驱动IC、IPM等多品类，下游核心应用场景包括新能源汽车、新能源发电及储能、工业控制、变频白色家电，同时积极开拓AI服务器电源、数据中心、工业机器人、低空/高空飞行器等新兴应用领域，持续拓展产品应用边界。

2025年，公司实现营业总收入40.12亿元，同比增长18.34%；归母净利润4.05亿元，同比下滑20.18%；扣非净利润3.77亿元，同比下滑22.61%；拟向全体股东每10股派现5.08元（含税）。

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本文源自：市场资讯

作者：智研