北京
国家知识产权局信息显示，上海衍梓智能科技有限公司取得一项名为“半导体设备反应腔体结构”的专利，授权公告号CN224178556U，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本实用新型公开了半导体设备反应腔体结构。上述反应腔体结构包括由保温内层I和保温外层I构成的下壳体、由保温内层II和保温外层II构成的上壳体、反应腔、用于承载所述下壳体的底座、带动所述上壳体做竖向移动的升降驱动结构、用于承载所述升降驱动结构的架体、以及可拆卸装设于升降驱动结构和上壳体之间的连接件。所述连接件包括和保温内层II顶部相抵持的凸起部、设置于凸起部和保温外层II之间的连接座、焊接在连接座中心位置处的导气部。本实用新型保温内层II和保温外层II不直接受力也可实现共同运动，防止直接受力时对保温层造成的损坏，减少反应腔体损耗的同时，连接件还可拆卸进行更换，进一步降低反应腔体的维护成本。
天眼查资料显示，上海衍梓智能科技有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本292.6829万人民币。通过天眼查大数据分析，上海衍梓智能科技有限公司共对外投资了4家企业，财产线索方面有商标信息20条，专利信息53条，此外企业还拥有行政许可4个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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