微导纳米取得沉积系统相关专利，本沉积系统可提高镀膜均匀性

来源：新浪证券-红岸工作室

4月29日消息，国家知识产权局信息显示，江苏微导纳米科技股份有限公司申请一项名为“沉积系统”的专利，授权公告号CN224160690U，授权公告日为2026年4月24日。申请号为CN202520998898.X，申请公布日期为2026年4月24日，申请日期为2025年5月20日，发明人宋广华、李海生、杨世蒙，专利代理机构深圳市威世博知识产权代理事务所（普通合伙），专利代理师石惠，分类号C23C16/509、C23C16/455、H01J37/32。

专利摘要显示，本申请公开了沉积系统。沉积系统包括设备主体、电极组件、气电馈入件和射频模组。设备主体具有工艺腔体。电极组件设置于工艺腔体内。气电馈入件设置于设备主体的其中一侧，气电馈入件包括第一管路和多个第二管路，第一管路和第二管路穿设设备主体的其中一侧壁与电极组件气导通且电导通，第二管路均匀围绕第一管路设置，第二管路与第一管路间隔设置，不同第二管路与第一管路之间的距离相同，第一管路和第二管路连通设置。射频模组与第一管路电导通，第一管路与第二管路之间通过线缆导通。通过上述方式，本申请能够提高沉积系统镀膜的均匀性。

微导纳米成立于2015年12月25日，于2022年12月23日在上海证券交易所上市，注册地址和办公地址均为江苏省无锡市。该公司是国内领先的ALD设备制造商，核心产品为先进微、纳米级薄膜沉积设备，技术优势显著。

微导纳米以ALD技术为核心，专注于先进微、纳米级薄膜沉积技术和设备的研究与产业化应用，为光伏、集成电路、柔性电子等半导体与泛半导体行业提供高端装备与技术解决方案。所属申万行业为电力设备-光伏设备-光伏加工设备，涉及HJT电池、光伏玻璃、TOPCon电池等概念板块。

2025年，微导纳米营业收入26.33亿元，在行业12家公司中排名第9，远低于第一名捷佳伟创的154.72亿元和第二名晶盛机电的113.57亿元，也低于行业平均数56.11亿元和中位数45.56亿元。净利润为2.19亿元，行业排名第7，同样低于第一名捷佳伟创的26.18亿元和第二名晶盛机电的8.59亿元，低于行业平均数5.17亿元和中位数2.96亿元。

江苏微导纳米科技股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1一种喷淋装置及沉积镀膜设备发明专利公布CN202610131881.32026-01-29CN121915386A2026-04-24施述鹏、廖宝臣2载具、镀膜设备及其控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610076563.12026-01-20CN121610764A2026-03-06李挺、余乐怡3喷淋机构及薄膜沉积设备发明专利实质审查的生效、公布CN202512059928.82025-12-31CN121593033A2026-03-03李宏岩、张鹤、赵昂璧4喷淋机构及其检测系统发明专利公布CN202512059363.32025-12-31CN121629365A2026-03-10贾松霖、张鹤、李宏岩、左敏5半导体器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511999077.92025-12-26CN121793662A2026-04-03李翔、王娟、江诗聪、袁红霞、姚俊、李鹏、杨蕾6防污染角阀、角阀改造方法及沉积设备发明专利实质审查的生效、公布CN202511983364.02025-12-25CN121737683A2026-03-27毛文瑞、荒见淳一、赵婷婷7一种半导体薄膜沉积设备的反应腔和半导体薄膜沉积设备发明专利公布CN202511942447.52025-12-22CN121826658A2026-04-10衡德正、智顺华、徐康、阮昊、王国超8加热盘机构及薄膜沉积设备发明专利公布CN202511948067.22025-12-22CN121826668A2026-04-10许允昕、周芸福、王宗林9一种抽气组件和半导体薄膜沉积设备发明专利实质审查的生效、公布CN202511935884.42025-12-19CN121781271A2026-04-03常晓娜、王天宇、安超、叶长松、张晶、刘松涛、王国超10一种半导体薄膜沉积设备的反应腔和半导体薄膜沉积设备发明专利实质审查的生效、公布CN202511935874.02025-12-19CN121781109A2026-04-03叶长松、常晓娜、张晶、刘松涛、王天宇、安超11半导体加热盘的装配方法和半导体工艺腔室发明专利公布CN202511923577.42025-12-18CN121653612A2026-03-13周瑞、周芸福12反应装置、半导体薄膜沉积方法和半导体薄膜沉积设备发明专利公布CN202511922972.02025-12-18CN121653610A2026-03-13安超、王天宇、王炫罡13反应腔室及薄膜沉积设备发明专利公布CN202511923368.X2025-12-18CN121674937A2026-03-17周芸福、黎微明、周瑞、王国超、王晴14支撑机构、反应装置和半导体薄膜沉积设备发明专利公布CN202511923203.22025-12-18CN121843456A2026-04-10李森、常晓娜、叶长松、张晶、刘松涛15一种顶针结构、升降机构及薄膜沉积设备发明专利公布CN202511923315.82025-12-18CN121843483A2026-04-10王新征、侯永刚16承载支架和晶圆处理装置发明专利公布CN202511923339.32025-12-18CN121865892A2026-04-14周峰、柴智、石帅、张义明17气路装置、气路控制方法、反应装置及薄膜沉积设备发明专利公布CN202511923451.72025-12-18CN121854755A2026-04-14张棋凯、龚炳建18薄膜晶体管及薄膜晶体管沟道层的制备方法发明专利公布CN202511912959.72025-12-17CN121865666A2026-04-14李向远、许所昌19管路系统、管路控制方法及薄膜沉积设备发明专利公布CN202511902157.82025-12-16CN121826650A2026-04-10邹天顺、龚炳建20反应装置、进气通道吹扫方法和半导体薄膜沉积设备发明专利公布CN202511902518.92025-12-16CN121826655A2026-04-10邹天顺、龚炳建21测试装置、测试方法及升降机构发明专利公布CN202511902280.X2025-12-16CN121829901A2026-04-10陈鹏、周芸福22一种抽气构件和半导体薄膜沉积设备发明专利公布CN202511902553.02025-12-16CN121826645A2026-04-10常晓娜、王天宇、安超、叶长松、张晶、刘松涛23ALD薄膜沉积方法及装置和ALD薄膜沉积设备发明专利公布CN202511902512.12025-12-16CN121826654A2026-04-10许所昌、李向远24ALD薄膜沉积方法及装置和ALD薄膜沉积设备发明专利公布CN202511902620.92025-12-16CN121826657A2026-04-10许所昌、李向远25进气结构、反应装置和半导体薄膜沉积设备发明专利公布CN202511902544.12025-12-16CN121826656A2026-04-10刘松涛、常晓娜、张晶、叶长松、李森26支撑装置及薄膜沉积设备发明专利公布CN202511902345.02025-12-16CN121826663A2026-04-10周芸福、王国超、王卓、游巧27管路系统及薄膜沉积设备发明专利公布CN202511902165.22025-12-16CN121820270A2026-04-10邹天顺、龚炳建28一种工艺腔体的盖板传送装置和半导体薄膜沉积设备发明专利公布CN202511881677.52025-12-12CN121826653A2026-04-10衡德正、智顺华、徐康、阮昊、王国超29薄膜沉积设备发明专利实质审查的生效、公布CN202511869929.22025-12-11CN121295147A2026-01-09许允昕、周芸福30加热系统、半导体设备和加热方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511862984.92025-12-10CN121430206A2026-01-30周瑞、周芸福、龚炳建31检测设备及基片状态的检测方法发明专利公布CN202511850870.22025-12-09CN121646334A2026-03-10王新征、陈鹏32金属粉末及其制备方法和应用发明专利实质审查的生效、公布CN202511841229.22025-12-08CN121755701A2026-03-31李翔、王娟、袁红霞、糜珂33一种基片载具及基片处理设备发明专利公布CN202511823477.42025-12-04CN121646312A2026-03-10陶志豪、周芸福、许允昕34一种基片载具发明专利实质审查的生效、公布CN202511810588.12025-12-03CN121620138A2026-03-06许允昕、王宗林、周芸福35保护磁流体的主轴结构发明专利实质审查的生效、公布CN202511630974.22025-11-07CN121111992A2025-12-12周芸福、许允昕36一种c轴取向晶体IGZO薄膜的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511500786.82025-10-20CN121320911A2026-01-13李向远、许所昌37用于臭氧气体输送系统的预处理方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511501179.32025-10-20CN121320912A2026-01-13高力、朱金成、张义明38一种半导体加工设备及其进气单元发明专利实质审查的生效、公布CN202511416242.32025-09-29CN121161261A2025-12-19王天宇、安超、龚炳建、赵婷婷39一种用于交叉流的半导体处理设备及其应用发明专利实质审查的生效、公布CN202511415651.12025-09-29CN121320910A2026-01-13周芸福、黎微明、皮代波、王国超、赵婷婷、许所昌40支撑装置和反应设备发明专利实质审查的生效、公布CN202511404782.X2025-09-28CN121215603A2025-12-26柴智、赵学41翻盖开合装置和镀膜设备发明专利实质审查的生效、公布CN202511360203.62025-09-22CN121161237A2025-12-19褚笛轲、李宏岩、左敏、胡磊、赵昂璧42一种沉积成膜设备、等离子体增强工艺设备及支撑组件发明专利公布CN202511205548.42025-08-26CN120989590A2025-11-21陈六、张胜、王亨、廖宝臣、徐兴文、李挺43沉积设备发明专利实质审查的生效、公布CN202511171414.52025-08-20CN120796918A2025-10-17姚森、王令、廖宝臣、王亨44射频馈入结构及等离子体设备发明专利实质审查的生效、公布CN202511129825.82025-08-12CN121011493A2025-11-25林英浩、荒见淳一、贾秀45阻抗匹配方法、电路及射频设备发明专利实质审查的生效、公布CN202511101411.42025-08-06CN121098279A2025-12-09张吉鑫46化学源输送系统发明专利实质审查的生效、公布CN202511038005.82025-07-25CN120818812A2025-10-21龚炳建、智顺华、许所昌47进气结构、反应腔室和薄膜沉积设备发明专利实质审查的生效、公布CN202510962632.42025-07-11CN120536900A2025-08-26王新征、张宝戈、周芸福48一种半导体结构及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510961815.42025-07-11CN120854376A2025-10-28杨康、李荣生49一种半导体结构及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510962283.62025-07-11CN120854264A2025-10-28杨康、李荣生50晶圆放置状态的检测方法、半导体工艺腔室及设备发明专利公布CN202510958264.62025-07-11CN120955000A2025-11-14林英浩、贾秀

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