北京
国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“晶体管沟道制备方法及晶体管、半导体器件”的专利，公开号CN121941088A，申请日期为2026年3月。
专利摘要显示，本申请涉及一种晶体管沟道制备方法及晶体管、半导体器件，方法包括：提供衬底；衬底内通过离子注入形成的有初始沟道；于初始沟道两侧的衬底顶面上形成掩模层，并基于掩模层在无偏置电压下，采用含锗气体对初始沟道进行掺锗处理，使初始沟道具有平行于初始沟道方向的第一压应力，以及垂直于初始沟道方向的第二压应力；在初始沟道顶面上形成应力层，并对应力层及初始沟道执行预设退火工艺，得到目标沟道；应力层具有用于提供抵消第二压应力的拉应力。够降低DIBL效应的同时，避免高能离子注入引起器件参数波动与可靠性下降。
天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200759.1697万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了11家企业，参与招投标项目641次，财产线索方面有商标信息52条，专利信息1621条，此外企业还拥有行政许可26个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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