北京
国家知识产权局信息显示，福建省福联集成电路有限公司申请一项名为“一种具有空气介质层的复合钝化层结构GaN HEMT的制备方法”的专利，公开号CN121941071A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体器件技术领域，特别是一种具有空气介质层的复合钝化层结构GaN HEMT的制备方法，方法如下：步骤1：对外延片进行清洗，并定义出源电极、漏电极的欧姆接触区域；再对外延片进行金属蒸镀、金属举离、退火处理，制备出源电极和漏电极；步骤2：在制备出源电极和漏电极的外延片上沉积第一钝化层并进行隔离；步骤3：在隔离后的第一钝化层上蚀刻出两个下层空腔；步骤4：在两个下层空腔上制备两个柱状光阻；步骤5：在制备出的两个柱状光阻的第一钝化层上沉积第二钝化层。本发明在栅极两侧的复合钝化层间引入了空气介质层。由于空气介质具有很低的介电常数，能有效降低器件的栅电极-源电极、栅电极-漏电极之间的寄生电容。
天眼查资料显示，福建省福联集成电路有限公司，成立于2015年，位于莆田市，是一家以从事仪器仪表制造业为主的企业。企业注册资本101618.539917万人民币。通过天眼查大数据分析，福建省福联集成电路有限公司参与招投标项目336次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息201条，此外企业还拥有行政许可15个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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