北京
国家知识产权局信息显示，上海中欣晶圆半导体科技有限公司申请一项名为“一种硅片倒角去残边抛光液及制备方法”的专利，公开号CN121930738A，申请日期为2026年3月。
专利摘要显示，本发明公开了一种硅片倒角去残边抛光液及制备方法，属于化学机械抛光技术领域。该硅片倒角去残边抛光液，包括硅酸盐基础抛光液，其特征在于，还含有用于选择性溶解硅片倒角面多晶硅残留的化学活性剂，所述化学活性剂为氢氟酸、氢氟酸钾中的至少一种；以所述抛光液的总重量计，化学活性剂的重量占比为0.1%‑0.5%，所述化学活性剂为氢氟酸，以所述抛光液的总重量计，所述氢氟酸的重量占比为0.2%‑0.4%。本发明的本抛光液融合硅酸盐基础抛光液的物理磨削与化学活性剂的选择性溶解作用，可高效渗透多晶硅晶界实现残边清除，且对单晶硅基体腐蚀速率极低，能避免倒角面划伤、崩边问题，保障硅片倒角结构的完整性与尺寸精度，适配半导体硅片加工的严苛公差要求。
天眼查资料显示，上海中欣晶圆半导体科技有限公司，成立于2019年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本48000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海中欣晶圆半导体科技有限公司参与招投标项目18次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息288条，此外企业还拥有行政许可89个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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