北京
国家知识产权局信息显示，武汉新创元半导体有限公司申请一项名为“一种预测产品干膜型阻焊厚度极差的方法及系统”的专利，公开号CN121921355A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种预测产品干膜型阻焊厚度极差的方法，包括：获取待加工IC载板的载板设计数据，对载板的铜面进行网格化划分，通过图像处理技术提取每个网格单元内的铜面积占比数据；将每个所述网格单元的铜面积占比数据，结合干膜型油墨特性参数，通过干膜型阻焊厚度计算公式计算得到每个网格单元的预测干膜型阻焊厚度；基于所有网格单元的预测干膜型阻焊厚度，通过数值模拟生成整板的干膜型阻焊厚度分布热力图，识别出干膜型阻焊厚度极差超过预设阈值的风险区域；基于识别到的风险区域及其干膜型阻焊厚度极差，推荐用于优化干膜型阻焊厚度的工艺参数。本发明的方法能够实现对干膜型阻焊厚度极差的精确预测和控制。
天眼查资料显示，武汉新创元半导体有限公司，成立于2021年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本31451.7339万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉新创元半导体有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目11次，财产线索方面有商标信息18条，专利信息52条，此外企业还拥有行政许可74个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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