国家知识产权局信息显示,桂林电子科技大学、国芯微电子(广东)有限公司申请一项名为“一种嵌入式功率模块、电路结构和设计方法”的专利,公开号CN121925126A,申请日期为2026年1月。
专利摘要显示,本申请属于半导体技术领域,公开一种嵌入式功率模块、电路结构和设计方法,通过将TEC散热器与MOS芯片紧密集成,并利用TEC散热器的主动制冷能力,在MOS芯片开启前使TEC散热器预先启动,从而在MOS芯片开启的瞬时提供快速、局部的热抑制,能够更及时地散出MOS芯片瞬时释放的大量热量,有效解决了MOSFET在高频开关过程开通瞬时产生的局部高温问题,避免了温度尖峰的产生,此外,本申请在解决散热问题的同时,不牺牲MOSFET的快速高频响应能力,充分利用了MOSFET芯片的性能。
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本文源自:市场资讯
作者:情报员
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