北京
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国家知识产权局信息显示，桂林电子科技大学、国芯微电子（广东）有限公司申请一项名为“一种嵌入式功率模块、电路结构和设计方法”的专利，公开号CN121925126A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本申请属于半导体技术领域，公开一种嵌入式功率模块、电路结构和设计方法，通过将TEC散热器与MOS芯片紧密集成，并利用TEC散热器的主动制冷能力，在MOS芯片开启前使TEC散热器预先启动，从而在MOS芯片开启的瞬时提供快速、局部的热抑制，能够更及时地散出MOS芯片瞬时释放的大量热量，有效解决了MOSFET在高频开关过程开通瞬时产生的局部高温问题，避免了温度尖峰的产生，此外，本申请在解决散热问题的同时，不牺牲MOSFET的快速高频响应能力，充分利用了MOSFET芯片的性能。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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