韩媒：中国十年难造EUV光刻机，或转建光刻厂

2026年4月，韩国媒体《韩国先驱报》刊发专题评论，断言中国在本十年内无法实现EUV光刻机的自主化。

其理由在于中国正面临EUV技术壁垒与国际供应链封锁的双重挑战。此前美国主要禁止最顶尖的EUV光刻机，如今则直接将禁令范围扩大到所有DUV浸没式光刻机，并要求荷兰等盟友在150天内执行同等禁令。中国研制光刻机的难度正不断增加，这一预言赌的并非技术时间表，而是中国研制光刻机的现实困境。

不过，与韩媒的唱衰不同，ASML更多的是焦虑。ASML首席执行官傅恪礼近期就表示：把中国逼急了，等中国搞出自己的技术产品，说不定以后会是中国反过来卖给我们。

有人觉得ASML是杞人忧天，其实不然，他们的焦虑，全是被数据逼出来的。2026年一季度，ASML发布的财报里藏着关键信息：中国大陆市场的占比，从之前的全球第一，一下子掉到了19%，直接沦为第三。

要知道，以前中国可是ASML的“最大金主”，现在被韩国反超，韩国以45%的占比成了第一，ASML能不慌吗？毕竟把中国逼太狠，等于亲手丢掉一个潜在的巨大市场，这买卖不划算。

看到这，估计不少中老年人会疑惑：EUV光刻机到底是个啥宝贝，能让韩媒这么嚣张，让ASML这么紧张？其实答案很简单，这东西，难到全球没有任何一个国家能单独造出来，包括美国、德国这些科技强国。

先说说它的结构，一台EUV光刻机，光零部件就有10万多个，重量快赶上200吨的大货车，随便一个小零件出问题，维修起来都得花好几个月，没有顶尖技术，连修都修不好。更关键的是，这些零件还不是一个国家能搞定的，得靠全球顶尖企业凑一起才行。

比如核心的光源系统，得靠美国的企业来造；高精度的反射镜，只有德国蔡司能生产，差一点精度都不行；还有特种复合材料，得靠日本的厂家供应。少了其中任何一样，这台设备就组装不起来，相当于“缺胳膊少腿”，根本用不了。

除了零件复杂，精度要求更是严到苛刻。设备里的双工件台，同步误差不能超过2纳米，可能有人没概念，简单说就是，差一点点，芯片就废了。而且它不只是单一技术的比拼，还得把光学、材料、电子等好几个领域的顶尖技术融到一起，少一个都不行。

看到这，是不是就能理解，为啥韩媒敢笃定中国造不出来了？但别急，中国的操作，从来都不按常理出牌。

韩媒以为，双重封锁下，中国只能束手无策，只能乖乖认输。可他们万万没想到，中国早就不盯着EUV单机死磕了，而是悄悄开辟了好几条路，而且每条路，都有了实质性的进展。

可能有人不知道，现在我们的国产极紫外光源已经量产了，28nm浸润式镜头也能自己造了，就连之前被卡脖子的双工件台技术，也实现了关键突破，不用再看国外脸色。这些进展，看似不起眼，却为中国光刻机突围，打下了坚实的基础。

第一条突围路线，是纳米压印光刻。国内有个叫璞璘科技的企业，已经造出了相关设备，还实现了量产，线宽能做到小于10nm，比日本佳能的同类产品还好用，而且能耗和成本都降了不少，现在已经用在存储芯片等领域了。不过这条路线也有小短板，咱们后面再说。

第二条路线，是电子束光刻。浙江大学搞出了一台叫“羲之”的光刻机，已经正式落地了，精度能达到0.6nm，线宽8nm，最厉害的是，不用掩膜版，就能直接在硅基上“画”电路，现在已经进入应用测试阶段，一下子打破了国外高端电子束光刻设备的禁运困局。这波操作，是不是有点出乎意料？

但最让人意外的，还是第三条路线——光刻工厂，也就是咱们说的SSMB-EUV技术。这项技术是清华团队牵头攻关的，从2017年就开始立项，2021年完成了初步实验，现在光源功率已经超过了ASML的设备，而且正在雄安推进落地验证，用不了多久，就能看到实质性的成果。

当然，咱们也不吹牛皮，这些路线都有各自的小局限。纳米压印光刻虽然便宜，但缺陷率有点高，生产效率也不够，没法满足大规模量产的需求；光刻工厂虽然潜力大，但建设周期长，投资也大，短期内还解决不了芯片生产的燃眉之急。不过没关系，中国的策略，从来都是“多条腿走路”。

其实中国的思路很清晰，不盲目死磕EUV单机，先把眼前的DUV技术吃透，把成熟制程做好。比如上海微电子的28nm浸没式DUV，已经完成了流片验证，国产化率突破了85%，很快就能实现商业化交付，满足大部分日常芯片的需求。中长期呢，就多线并行，靠系统能力的提升，打破国外的单机技术壁垒。

韩媒之所以唱衰中国，说白了，就是只看到了中国研发EUV的难度，却忽略了中国的韧性和智慧。他们以为的“死局”，说不定就是中国打破垄断、实现弯道超车的起点。

要知道，中国从来都是被卡脖子一次，就突破一次。以前别人说我们造不出高铁、造不出航母，我们都一一实现了。这次的光刻机，也不例外。而且光刻工厂的推进，说不定会彻底改变全球光刻机行业的格局，到时候，谁卡谁的脖子，还真不好说。