北京
国家知识产权局信息显示，沈阳盈芯半导体科技有限公司取得一项名为“一种新型的MPCVD蝶形下腔体气体均流结构”的专利，授权公告号CN224148174U，申请日期为2025年5月。
专利摘要显示，本实用新型公开了一种新型的MPCVD蝶形下腔体气体均流结构，涉及气体均流结构的技术领域，本实用新型旨在解决沉积不均匀的问题，本实用新型包括上腔体、下腔体、进气口、中心基台和排气口，所述上腔体通过密封圈安装在下腔体上，所述中心基台设置在上腔体中，所述进气口设置在上腔体上方。在下腔体底部设计多个均匀分布的排气管和缓冲腔，以实现气体的均匀排出，通过计算流体力学(CFD)模拟，优化排气管的数量、内径大小以及排气管的位置，确保气体在腔体内的均匀流动，显著提高沉积厚度的均匀性。
天眼查资料显示，沈阳盈芯半导体科技有限公司，成立于2023年，位于沈阳市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本20000万人民币。通过天眼查大数据分析，沈阳盈芯半导体科技有限公司参与招投标项目2次，专利信息2条，此外企业还拥有行政许可1个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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