全球 DRAM 市场供需持续偏紧，短缺涨价态势或将延续数年

来源：环球网

4月20日消息，据Wccftech报道，全球动态随机存取存储器（DRAM）市场近期呈现供应紧张、价格持续上涨的运行态势。受产能扩张受限、人工智能产业带动高带宽内存（HBM）需求激增等多重因素影响，业内预计内存芯片短缺局面将持续至 2027 年前后，市场供需关系有望在 2028 年逐步恢复平衡。

当前，全球 DRAM 市场高度集中，三星电子、SK 海力士、美光科技三大厂商占据约 90% 的市场份额，同时也是全球具备 HBM 规模化生产能力的核心企业。受晶圆供应不足、建厂周期较长、先进产能良率提升缓慢等因素制约，三大厂商扩产步伐相对平缓，现有产能扩张计划仅能覆盖市场约六成需求。相关测算显示，若要有效缓解市场短缺，行业需在 2027 年前实现年均 12% 的产能增长，而当前行业扩产增速仅为 7.5%，供需缺口持续存在。

从头部企业产能布局来看，三星电子韩国平泽园区第四座晶圆厂计划年内启用，全面量产时间推迟至 2027 年及以后，且该厂兼顾逻辑芯片生产，一定程度压缩内存产能扩张空间；规划中的第五座工厂聚焦 HBM 生产，预计 2028 年及以后投产。SK 海力士清州 HBM 工厂已于今年 2 月投产，成为今年唯一能贡献新增供应的项目，龙仁新厂建设提速，计划 2027 年 2 月完工。美光计划 2027 年在美国爱达荷州、新加坡启动 HBM 生产，日本广岛新厂瞄准 2028 年量产，此前收购的工厂产品预计 2027 年下半年面市。业内人士指出，受短期扩产难度限制，AI 专用内存供应紧张状况可能延续至 2030 年。

市场需求与成本端同样承压。人工智能产业快速发展推动 HBM 需求持续攀升，三大厂商纷纷将核心资源向 AI 内存倾斜，暂缓通用内存扩产进程，导致 2025 年秋季起通用内存供应趋紧加剧，今年第一季度内存价格环比涨幅预计约 90%。与此同时，中东局势动荡推高电力、原材料成本，进一步加剧行业供给不确定性。

供应紧张已逐步向下游终端产业传导。目前，全球 80% 至 90% 的内存芯片应用于个人电脑、智能手机和服务器领域，其余用于汽车及工业设备。内存价格大幅上涨，使得低端智能手机内存成本占比从当前约 20%，预计今年年中升至近 40%，严重挤压终端企业利润空间，手机厂商或下调产量，汽车零部件企业也面临内存供应不足的发展难题。