北京
国家知识产权局信息显示，普冉半导体（上海）股份有限公司申请一项名为“一种存储器的验证方法及系统”的专利，公开号CN121881941A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本申请设计芯片设计技术领域，公开了一种存储器的验证方法及系统，其中方法包括：在指令序列发送之前，通过测试平台建立包含数据状态标签的参考模型数组，对所述指令序列访问存储器时的访问方式进行预测；所述访问方式包括前门访问和后门访问；模拟所述存储器接收所述指令序列的执行行为，以得到期望存储数据；将所述期望存储数据与所述指令序列在所述参考模型数组中的地址数据进行比较，从而验证所述存储器的可靠性。本申请通过优化仿真流程，能够显著提升闪存芯片功能验证的仿真执行效率，同时增强验证平台在不同设计迭代与项目间的可复用性。
天眼查资料显示，普冉半导体（上海）股份有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本14804.9102万人民币。通过天眼查大数据分析，普冉半导体（上海）股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息11条，专利信息219条，此外企业还拥有行政许可7个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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