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从早上的闹钟到天气预报:半导体是这一切的幕后工具。
化学机械平面化(CMP)是一种结合化学腐蚀与机械研磨作用,对材料表面进行高精度平坦化处理的技术工艺。其核心原理是通过化学试剂与磨料颗粒的协同作用,选择性去除表面凸起部分,使晶圆等基材达到纳米级平整度,为半导体芯片多层结构的精确叠加奠定基础。作为微电子制造中的关键环节,CMP已成为集成电路(IC)、微机电系统(MEMS)等器件量产的必备工艺。
一、CMP——“平整度守护者”
为了使它们可靠地工作,化学机械平面化(CMP)确保晶片完全平坦,使每个芯片层都能以纳米精度构建。微小的表面不规则性会影响性能,因此控制晶圆平整度至关重要。
二、凹槽堵塞与釉化的无损检测
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CMP抛光垫凹槽的三维轮廓图
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S mart 2 可集成测量头
使用S mart 2 可集成测量头优化CMP垫的使用,实现现场无损测量,精确检测凹槽堵塞和衬垫釉化。有了这种洞察力,制造商可以延长衬垫寿命,降低成本,并加强对流程的管控。从加工流程开始确保精度。
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