三星首条8英寸GaN生产线已准备就绪！

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（来源：第三代半导体产业）

据韩国权威媒体 The Elec 最新消息，三星电子（Samsung Electronics）首条8 英寸氮化镓（GaN）功率半导体生产线已完成全部准备工作，具备投产条件，预计最早于 2026 年第二季度正式量产。此举标志着三星在化合物半导体代工领域的布局进入实质落地阶段，将与同步推进的碳化硅（SiC）业务形成 “双轮驱动”，全面切入全球第三代半导体高速增长市场。

三星电子早在 2023 年便对外宣布，其功率半导体晶圆厂计划于 2025 年启动量产。受市场验证、客户导入及产线建设等多重因素影响，项目实际进度较原计划有所延后。根据最新行业动态，其 8 英寸 GaN 产线投产后，初期营收规模预计将低于 1000 亿韩元（约合人民币 4.6 亿元），反映出业务初期仍处于客户拓展与产能爬坡阶段。

目前，三星已围绕 GaN 业务构建起覆盖晶圆制造、外延生长、封装测试的完整解决方案生态系统，仅芯片设计环节采用外部合作模式。核心技术突破在于，三星已实现GaN 外延片的自主研发与生产，摆脱了对海外供应商的依赖，有效保障供应链安全与成本控制。作为行业内少数直接布局 8 英寸大尺寸晶圆的厂商，三星此举顺应产业降本增效趋势，单片晶圆芯片产出量较传统 6 英寸产线提升显着，为后续大规模市场化奠定基础。

在推进 GaN 业务的同时，三星碳化硅（SiC）功率半导体代工生产线亦计划于 2026 年内启动运营。与 GaN 侧重中低压场景不同，三星 SiC 业务将聚焦1200V-1700V 高压应用市场，主要面向新能源汽车主逆变器、工业电源等领域。

技术能力上，三星在 SiC 领域具备从设计、制造到封测的端到端全流程能力。公司计划于2026 年第三季度率先量产平面结构 SiC MOSFET 样品，该技术路线成熟度高、可靠性强，更易满足车规级严苛认证要求。未来，三星还将逐步拓展沟槽型 MOSFET、二极管及功率模块等产品，完善 SiC 全系列矩阵。通过 GaN 与 SiC 双线并行，三星可覆盖全电压范围功率器件市场，为客户提供一站式化合物半导体代工服务。

为支撑两大先进产线运营，三星已投资约1000亿至2000亿韩元（约合人民币 4.6-9.2 亿元）用于采购前沿工艺设备。其中，德国 Aixtron（爱思强）的 MOCVD（金属有机化学气相沉积）系统是关键设备，为 GaN 外延层生长及 SiC 薄膜沉积提供核心工艺保障。该系列设备具备高均匀性、高产能特性，可精准适配 8 英寸晶圆规模化生产需求。

随着全球新能源汽车、工业变频及数据中心市场爆发，第三代半导体成为兵家必争之地。三星的强势入局，将直接加剧与DB HiTek（东部高科）等韩国本土厂商的竞争。据悉，DB HiTek GaN 产线预计 2026 年下半年量产，较三星晚 1-2 个季度。国际层面，三星亦将与英飞凌、安森美、台积电等全球巨头展开正面角逐。

结语：三星 8 英寸 GaN 产线落地与 SiC 业务启动，是其从存储、逻辑芯片向功率半导体扩张的关键战略落子。凭借全产业链整合能力、大规模设备投入与 8 英寸技术先发优势，三星有望快速跻身全球第三代半导体代工第一梯队，重塑产业竞争格局。