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据台媒Digitimes近日报道，三星电子已经启动公开招标，将清理其位于韩国和中国西安半导体工厂的123台闲置的旧设备，以精简其NAND Flash业务流程，加速向200层以上NAND Falsh转型。
报道称，三星此次出售的设备包括中国西安工厂的86台设备和韩国的37台设备，主要为90-65纳米工艺范围内的成熟制程设备，也包括部分8英寸晶圆设备。
韩国媒体The Guru指出，三星此次将出售的闲置设备主要包括存储晶圆制造过程中使用的工具，例如用于在晶圆上形成电路的核心制造设备，包括金属薄膜成型、沉积、蚀刻、热处理、清洗和检测等。值得注意的是，此次出售的是贯穿整条生产线的通用设备，而非仅限于特定工艺步骤的设备。
随着高密度、高容量、高性能产品在存储器行业的占比不断扩大，存储晶圆厂进行产线升级，并清理利用率相对较低的设备、提高生产效率已成为一种持续的趋势。
业内人士解释说：“最近，存储器行业正在进行重组，以同时考虑产品进步和运营效率。”他补充道：“各公司正在灵活调整其生产策略以适应市场状况。”
而此次设备交易的关键背景则是三星西安工厂NAND Flash产线的工艺升级。此前消息显示，三星电子已停止了西安生产现有的128层（V6）生产线，目前正集中精力量产236层（V8）NAND。
此外，三星电子还计划在2026年前推出286层（V9）生产线，并制定未来推出400层以上超高层产品的路线图。这被解读为，在长江存储的积极扩产和竞争之下，三星电子决心提升其在中国大陆生产的产品的技术优势。
资料显示，中国西安工厂是三星唯一的海外存储芯片生产基地，对该公司全球供应链至关重要，生产了该公司约40%的NAND Flash。
编辑：芯智讯-浪客剑
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