北京
国家知识产权局信息显示，重庆芯联微电子有限公司申请一项名为“激光退火方法、装置及系统”的专利，公开号CN121772625A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明提供了一种激光退火方法、装置及系统，激光退火方法包括根据预设退火扫描路径，控制激光束对待退火元件进行首行扫描，待激光束完成首行扫描后，将待退火元件旋转180°，再根据预设退火扫描路径，控制激光束对待退火元件进行下一行扫描，重复执行激光束行扫描、将待退火元件旋转180°的相关步骤直至退火完成。本发明提出的激光退火方法、装置及系统通过根据预设退火扫描路径对待退火元件进行激光扫描，并在激光行间转换时对待退火元件进行旋转，能够使得热量有更多时间散失，从而削弱边缘热累积效应，有效降低边缘局部过热风险，进而使得待退火元件中心与边缘的离子激活率趋于一致，显著提高待退火元件的激活均匀性与制程品质。
天眼查资料显示，重庆芯联微电子有限公司，成立于2023年，位于重庆市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本870000万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆芯联微电子有限公司参与招投标项目933次，专利信息279条，此外企业还拥有行政许可12个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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