北京
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国家知识产权局信息显示，英特尔公司申请一项名为“具有来自储液器的可变电离流体流动控制的热接地平面”的专利，公开号CN121751571A，申请日期为2025年8月。
专利摘要显示，本公开涉及具有来自储液器的可变电离流体流动控制的热接地平面。一种热接地平面(TGP)，包括：蒸汽室，容纳电离流体；储液器，与蒸汽室流体连接，该储液器被配置为储存过量电离流体；以及电磁源，被配置为基于蒸汽室中电离流体的热阻或TGP在靠近热源的位置处的温度，来动态地将可变数量的过量电离流体从储液器引导至蒸汽室。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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