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国家知识产权局信息显示，英飞凌科技奥地利有限公司申请一项名为“包括高压器件的半导体器件”的专利，公开号CN121751694A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，一种半导体器件(500)，包括高压器件(510)。高压器件包括具有第一内部区(210)的中心区(200)。终端区域(300)横向地围绕中心区(200)并且包括第一延伸区(310)。第一延伸区(310)形成在第一内部区(210)与第一外部区(410)之间。轻掺杂的基底部分(115)和第一延伸区(310)形成pn结。中心区(200)还包括第二内部区(220)，其中，第二内部区(220)和第一内部区(210)被横向分离并且连接到不同的内部接触结构(211，221)。替选地或附加地，高压器件(510)还包括第二外部区(420)，其中，第一外部区(410)和第二外部区(420)被横向分离并且连接到不同的外部接触结构(411，421)。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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