北京
国家知识产权局信息显示，重庆平伟实业股份有限公司申请一项名为“集成结势垒肖特基二极管的单沟道元胞结构及版图结构”的专利，公开号CN121751679A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明提供的一种集成结势垒肖特基二极管的单沟道元胞结构及版图结构，包括：衬底；第一导电类型外延区，设置于衬底的正面；第二导电类型体区，其形成于第一导电类型外延区背离衬底的一侧部分区域；第一导电类型源区，其形成于第二导电类型体区背离衬底的一侧部分区域；多个第二导电类型源区，其形成于第二导电类型体区背离衬底的一侧；JFET区，其形成于第一导电类型外延区背离衬底一侧；氧化层，其部分覆盖JFET区、第二导电类型体区、第一导电类型源区以及第二导电类型源区；栅极，其设置于氧化层内；肖特基金属层，其覆盖沟槽底部；源极金属层‑，其覆盖肖特基金属层，并填充沟槽；漏极金属层，其设置于衬底的背面。
天眼查资料显示，重庆平伟实业股份有限公司，成立于2007年，位于重庆市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本15960.9778万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆平伟实业股份有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目34次，财产线索方面有商标信息16条，专利信息240条，此外企业还拥有行政许可55个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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