北京
国家知识产权局信息显示，厦门市三安集成电路有限公司申请一项名为“晶体管器件及制备方法、电子产品”的专利，公开号CN121751687A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本申请提供一种晶体管器件及制备方法、电子产品，其中，晶体管器件包括衬底、半导体叠层、介质层、栅极金属、源极金属和漏极金属；所述半导体叠层包括源极区域、漏极区域和多个鳍部；每两个相邻的所述鳍部之间形成为凹槽，所述介质层覆盖于所述鳍部上以及覆盖于所述凹槽内，且所述栅极金属通过所述介质层沿横跨所述多个鳍部和所述凹槽的第一方向延伸；在第二方向和第三方向构成的截面上，所述栅极金属的截面形状两侧分别形成向外延伸的延伸部，且每个所述延伸部的边缘包含至少两个台阶；所述截面形状是所述栅极金属在鳍部上或在凹槽内的截面形状；所述第二方向为所述半导体叠层与所述衬底堆叠的方向，所述第三方向为所述鳍部长度延伸的方向。
天眼查资料显示，厦门市三安集成电路有限公司，成立于2014年，位于厦门市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本150000万人民币。通过天眼查大数据分析，厦门市三安集成电路有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目88次，专利信息360条，此外企业还拥有行政许可105个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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