北京
国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN121752034A，申请日期为2026年3月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：多个并列设置的半导体器件，每个所述半导体器件包括设置在衬底内的至少一个第一阱区和设置在所述衬底上的金属互连结构，所述金属互连结构设置在介质层内；第二阱区，设置在相邻所述半导体器件的所述第一阱区之间的所述衬底内；绝缘层，设置在相邻所述半导体器件之间的所述介质层上，并向两侧延伸至部分所述金属互连结构上；钝化层，设置在所述绝缘层上；第一凹槽，设置在所述金属互连结构的表面，暴露部分所述金属互连结构；第二凹槽，环绕所述第一凹槽设置在所述金属互连结构上，且暴露部分所述绝缘层。本发明提供的半导体结构及其制备方法，能够减小环境湿度对结漏电流量测的影响。
天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200759.1697万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目635次，财产线索方面有商标信息54条，专利信息1579条，此外企业还拥有行政许可26个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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