北京
国家知识产权局信息显示，斯达半导体股份有限公司申请一项名为“一种混合拓扑功率模块”的专利，公开号CN121751729A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明涉及功率半导体封装与电力电子变换技术领域，具体涉及一种混合拓扑功率模块，包括散热基板、外壳、绝缘基板、功率端子、碳化硅芯片及硅基功率芯片组。碳化硅芯片位于桥式拓扑的外管位置，发挥其高频低损耗优势以提升效率和功率密度；硅基功率芯片组位于内管位置，利用其大电流低导通压降和成本优势。本发明融合了碳化硅与硅基技术优点，在显著提高开关频率、效率和功率密度的同时，有效控制了成本，解决了全碳化硅模块成本过高与IGBT模块性能不足的矛盾，实现了储能系统对效率、可靠性、功率密度及成本要求的综合优化。
天眼查资料显示，斯达半导体股份有限公司，成立于2005年，位于嘉兴市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本23947.3466万人民币。通过天眼查大数据分析，斯达半导体股份有限公司共对外投资了13家企业，参与招投标项目48次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息280条，此外企业还拥有行政许可7个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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