北京
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国家知识产权局信息显示，汉磊科技股份有限公司申请一项名为“半导体装置及制造半导体装置的方法”的专利，公开号CN121751675A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体装置及制造半导体装置的方法。其中，半导体装置包括：碳化硅磊晶层，其包括：p型阱区；重掺杂n型区，其在该p型阱区的表面上；以及重掺杂p型区，其在该重掺杂n型区之下且在该p型阱区内。该半导体装置还包括第一栅极沟槽，其穿过该p型阱区；第一深掺杂p型区，其中，该第一深掺杂p型区的宽度窄于该第一栅极沟槽的宽度。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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