国家知识产权局信息显示,汉磊科技股份有限公司申请一项名为“半导体装置及制造半导体装置的方法”的专利,公开号CN121751675A,申请日期为2024年9月。
专利摘要显示,本发明提供一种半导体装置及制造半导体装置的方法。其中,半导体装置包括:碳化硅磊晶层,其包括:p型阱区;重掺杂n型区,其在该p型阱区的表面上;以及重掺杂p型区,其在该重掺杂n型区之下且在该p型阱区内。该半导体装置还包括第一栅极沟槽,其穿过该p型阱区;第一深掺杂p型区,其中,该第一深掺杂p型区的宽度窄于该第一栅极沟槽的宽度。
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本文源自:市场资讯
作者:情报员
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