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国家知识产权局信息显示，英特尔公司申请一项名为“具有带气隙的电介质脊的叉片晶体管”的专利，公开号CN121751749A，申请日期为2025年7月。
专利摘要显示，本公开提供了用于形成半导体器件的技术，所述半导体器件包括具有自对准电介质脊的叉片晶体管，所述电介质脊具有气隙。所述气隙可以构成所述电介质脊的总体积的大部分，这降低了所述电介质脊的介电常数并且减少了寄生电容。在一个示例中，第一和第二半导体器件分别具有在相应的源极区和漏极区之间在第一方向上延伸的第一和第二半导体区。所述第一和第二半导体区可以包括任意数量的纳米片。电介质脊在所述第一和第二半导体区之间在所述第一方向上延伸。所述电介质脊包括与所述第一和第二半导体区的各侧相邻的电介质衬层。所述电介质脊的剩余体积至少部分地由所述电介质衬层约束，包括气隙。可以在所述气隙之上包括电介质帽结构。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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