北京
国家知识产权局信息显示，南昌大学;南昌实验室;南昌硅基半导体科技有限公司申请一项名为“一种Micro-LED器件及制备方法”的专利，公开号CN121751856A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种Micro‑LED器件及制备方法，器件包括具有驱动电路的驱动基板、位于驱动基板上阵列分布的Micro‑LED像素单元、N电极、DBR层；Micro‑LED像素单元从下至上依次包含金属键合层、P型层、量子阱发光层和N型层；Micro‑LED像素单元通过金属键合层和驱动基板键合并与驱动电路电性连接；金属键合层与所述P型层欧姆接触、N电极与N型层欧姆接触；DBR层覆盖Micro‑LED像素单元的侧壁，填充Micro‑LED像素单元之间的沟槽并形成平坦化表面，DBR层的上表面与所述Micro‑LED像素单元的上表面齐平；DBR层由高折射率介质材料和低折射率介质材料交替周期性堆叠而成。采用DBR层覆盖Micro‑LED像素单元的侧壁，填充Micro‑LED像素单元之间的沟槽并形成平坦化表面，可以实现Micro‑LED像素单元侧壁钝化、侧壁反射，Micro‑LED器件表面平坦化。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
