北京
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国家知识产权局信息显示，上海集成电路研发中心有限公司申请一项名为“一种激光器结构及制备工艺”的专利，公开号CN121748929A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本发明公开了一种激光器结构及制备工艺，激光器结构包括：量子点结构，设于衬底中，所述量子点结构包括分布于其中的多个量子点，所述量子点结构的表面自所述衬底的表面露出；半导体功能层，设于所述衬底的表面上，并将所述量子点结构的表面覆盖；光子晶体，设于所述半导体功能层的表面上，所述光子晶体形成位于所述量子点结构上的谐振腔，和位于所述谐振腔一侧的输入光泵浦波导。本发明能够实现激光器的高品质因子Q值、小的模式体积以及可扩展的尺寸。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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