北京
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国家知识产权局信息显示，ASML荷兰有限公司申请一项名为“确定曝光策略的方法、光刻方法和装置以及计算机程序”的专利，公开号CN121752951A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，一种确定曝光策略的方法，所述曝光策略用于衬底的第一层中的具有第一校正能力的至少第一曝光和所述衬底的第二层中的具有第二校正能力的至少第二曝光，所述第二校正能力不同于所述第一校正能力，所述方法包括：确定所述第一层感兴趣参数数据的能够根据所述第一校正能力校正的第一层可校正误差分量；根据所述第二校正能力确定不可校正的所述第一层可校正误差分量的第一部分；将所述第一层可纠错的所述第一部分划分为至少第一子部分和第二子部分；以及将所述第一子部分归于第一曝光误差预算，并且将所述第二子部分归于第二曝光误差预算。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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