北京
分享至
国家知识产权局信息显示，成都新紫光半导体科技有限公司申请一项名为“一种在栅极中形成N型功函数层的方法”的专利，公开号CN121728982A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本公开涉及一种在栅极中形成N型功函数层的方法，该方法在形成N型功函数层时，先采用偏压较低的第一物理气相沉积使N型功函数层材料原子在半导体衬底的栅极内形成N型功函数层，然后采用偏压较高的第二物理气相沉积使N型功函数层材料原子以更快的速度轰击在上述N型功函数层，能够使原子充分填充上述N型功函数层于栅极形成的空隙，形成表面平整的N型功函数层，进而能够避免后续层无法镀上或者后续镀层较薄的问题。
天眼查资料显示，成都新紫光半导体科技有限公司，成立于2022年，位于成都市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本25000万人民币。通过天眼查大数据分析，成都新紫光半导体科技有限公司专利信息78条。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
