三星拟将HBM4产能占比将提升至50%以上！

3月18日，根据韩国媒体《朝鲜日报》的最新报导，在全球人工智能（AI）芯片需求持续爆发的背景下，韩国三星电子正积极巩固其在高带宽内存（HBM）市场的领先地位。三星电子存储开发部执行副总裁黄相俊（Hwang Sang-jun）在英伟达GTC 2026大会现场公布了三星最新的HBM量产进度与下一代技术发展蓝图。

黄相俊表示，我们目前正以非常陡峭的曲线进行HBM的产能提升，且在生产环节上没有面临太大的问题，将全力支持英伟达等核心客户的AI芯片发布周期。针对未来的产品布局，黄相俊指出，三星的战略目标是让最新一代的HBM4 产品，在公司整体的HBM 总产量中占据高达一半以上的比例。

面对当前全球存储芯片市场可能出现的供应紧缺情况，三星也制定了明确的应对方针。 黄相俊强调，在市场供应略显不足的情况下，将产能与供应重心集中于高阶优质产品，从整体产业发展的宏观角度来看，是更好的选择。与此同时，三星还必须将战略合作伙伴与一般量产供应客户进行明确区分，并依此来分配产品数量，这是在当前市场环境下不得不采取的资源配置做法。

黄相俊也在GTC大会上宣布，其第六代HBM——HBM4已经开始步入量产阶段，其基础晶粒（Base Die）将采用4nm制程技术（三星代工的英伟达Gorq 3 LPU芯片也是采用同样的4nm制程），其核心的DRAM芯片采用的是10nm等级的1c（第六代）制程技术。

三星表示，该芯片的处理速度高达 11.7 Gbps，超过了业界典型的 8 Gbps 标准，并且可以提升至 13 Gbps。

三星后续的升级版第七代HBM产品——HBM4E的基础晶粒也都将采用相同的4nm制程技术。但未来的HBM5 以及HBM5E 产品的基础芯粒，三星则计划全面导入自家晶圆代工更为先进的2nm制程技术。在核心DRAM芯片方面，HBM5 与HBM5E 预计将分别采用10nm等级的1c（第六代）与1d（第七代） 制程技术。 黄相俊进一步指出，采用如此尖端的制程技术确实会带来成本压力与负担。不过，为了满足HBM 未来所追求的产品效能与设计概念，积极导入先进制程技术是不可避免的发展趋势。

为了确保在激烈的AI 晶片竞赛中保持优势，三星正推行一项紧密跟随核心客户的战略。目前，三星正致力于将自家HBM 的推出周期，与英伟达AI 芯片的上市周期进行同步调整，计划以“每年”为单位，持续推出全新的HBM产品。

三星还重点介绍了其与英伟达在人工智能工厂方面的合作，利用加速计算和 Omniverse 技术扩展半导体生产中的数字孪生系统。三星还展示了多款设备端AI内存产品，包括用于DGX Spark系统的PM9E3和PM9E1 NAND闪存，以及LPDDR5X和LPDDR6移动DRAM。LPDDR5X单引脚速度高达25Gbps，效率更高；LPDDR6单引脚速度高达35Gbps，并增强了电源管理。

编辑：芯智讯-林子