速度提升1万倍、功耗降低96%！ 英伟达入局闪存研发！

三星电子已与英伟达（Nvidia）达成合作，共同加速开发下一代NAND 闪存芯片，业内消息人士证实了这一消息。

双方联合研发了一套人工智能系统，可显著加速铁电基超低功耗 NAND的研发。铁电技术是决定 AI 芯片性能的关键技术。这一战略反映了两家公司在引领全球人工智能半导体热潮的同时，力求在下一代芯片竞争中占据技术领先地位的努力。

据 12 日的业内消息，由三星电子半导体研究院、英伟达及佐治亚理工学院组成的联合研究团队，开发了一种名为 **“物理信息神经算子（PINO）”** 的模型。该模型分析铁电 NAND 器件性能的速度，比传统方法快10,000 倍以上。相关研究成果已在全球范围内发布。

铁电材料是一种新型物质，可在无需持续电输入的情况下保持极化（即正负电荷分离状态）。由于其能以极低功耗高效存储信息，将这类材料应用于 NAND 存储器件的研究一直十分活跃，而三星电子在这方面处于领先地位。铁电 NAND指的是采用铁电材料替代传统硅材料制造的 NAND。

铁电 NAND 的商业化应用，需要通过计算机模拟对阈值电压、数据保持等材料性能特征进行精准分析与优化，以开展后续研究。半导体行业广泛使用的分析工具 —— 技术计算机辅助设计（TCAD），单次运行通常需要60 小时，这严重限制了研究速度。而三星与英伟达的研究团队成功利用基于物理定律训练的人工智能，将单次运行时间缩短至10 秒以下。

与传统硅不同，由铁电NAND制成的NAND是铁电NAND。得益于其高密度可叠加多达1000层，峰值比可降低96%的功耗，标志着行业的一项重大创新。强电动NAND正作为一项能够同时应对包括英伟达在内的大型科技公司担忧的供电和电力短缺的新技术而备受关注。

去年年底，三星电子在《自然》杂志上发布了一项研究，鉴定出了“低功耗NAND闪存用铁电晶体管”的机制，该性能体现在这一性能上。为应对AI存储需求的增长，公司还宣布将开展后续研究，目标是实现该产品商业化。三星电子目前拥有200~300层的NAND叠层技术，并且已知其正重点将铁电技术作为未来实现1000层的关键技术。

据韩国知识产权局数据，在全球铁电专利份额排名中，韩国以43.1%的占比位居前五名之首，其中三星电子一家就占据了27.8%的份额。

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