北京
via：墓碑科技
Nvidia 已经不满足于只买内存了。
它开始亲自动手设计。
刚刚，三星与 Nvidia 宣布结盟。
双方要联手研发下一代 NAND 闪存。
这次用的是铁电 NAND 技术。
最恐怖的是研发手段：AI 驱动模拟。
速度比传统的 TCAD 仿真快了整整10,000倍。
什么概念？
过去需要几个月甚至几年的迭代，现在可能几天就跑完了。
结果同样惊人：功耗直接降低96%。
存储战争正在进入垂直整合时代。
算力巨头向上游渗透，直接定义底层硬件逻辑。
这意味着什么？
未来的存储芯片将不再是通用商品，而是为 AI 架构量身定制的插件。
在这种降维打击下，固守传统模式的厂商还有活路吗？
当效率提升一万倍，功耗缩减到零头，这种技术鸿沟将彻底重塑全球半导体版图。
那些依然沉迷于产能内卷而非架构创新的玩家，恐怕连上桌的机会都没有了。
新闻全文：
业内人士证实，三星电子已与英伟达合作，加速下一代NAND闪存芯片的研发。
三星与英伟达联合开发了一套人工智能系统，该系统能够显著加快基于铁电材料的超低功耗NAND闪存的研发——这项技术将决定人工智能芯片的性能。此举体现了两家公司在引领全球人工智能半导体蓬勃发展的同时，力求在下一代芯片竞争中保持技术领先地位的努力。
据业内人士12日透露，三星电子半导体研究院、英伟达和佐治亚理工学院的联合研究团队开发了一种名为“物理信息神经网络算子（PINO）”的模型，其分析铁电NAND器件性能的速度比传统方法快1万倍以上。该研究成果已在全球范围内发布。
铁电材料是一种新型物质，无需持续的电输入即可维持极化状态（即正负电荷的分离）。由于铁电材料能够以极低的功耗高效存储信息，因此将其应用于NAND闪存器件的研究一直十分活跃，其中三星电子处于领先地位。铁电NAND指的是使用铁电材料而非传统硅材料制造的NAND闪存。
铁电NAND的商业化需要后续研究，通过计算机模拟精确分析并改进材料性能特征，例如阈值电压和数据保持能力。半导体行业广泛使用的分析工具——技术计算机辅助设计（TCAD）通常每次操作需要60小时，限制了研究速度。三星和英伟达的研究团队利用基于物理定律训练的人工智能，成功地将操作时间缩短到10秒以内。
基于研究成果，三星电子将与最大的内存客户英伟达合作，共同推进铁电NAND闪存的商业化开发，这预示着双方未来的发展方向。去年底，三星在国际期刊《自然》上发表了其铁电NAND闪存技术，该技术与传统NAND闪存相比，功耗降低了96%，标志着一项重大的行业创新。
根据韩国知识产权局的数据，韩国在全球铁电专利份额中位列前五，占比43.1%，其中三星电子的份额为27.8%。
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
