北京
国家知识产权局信息显示，上海中欣晶圆半导体科技有限公司申请一项名为“一种低成本消减硅片体内金属铜含量的方法”的专利，公开号CN121646289A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种低成本消减硅片体内金属铜含量的方法。该方法包括以下步骤：首先，通过自然存放或低温加热两种预处理方式之一，促使硅片体内的铜离子迁移至表面；其中，自然存放为在25~50℃洁净环境中密封放置1年以上，低温加热为在300~400℃惰性气氛中加热不低于2小时；随后，将预处理后的硅片使用AGV设备运至洗净作业间，采用全自动洗净机依次经SC‑1、纯水、SC‑2、臭氧溶液和HF药液清洗并烘干，以彻底去除表面铜杂质。本发明利用铜离子在硅中的迁移特性，结合常规洗净工艺，实现了对硅片体内铜含量的高效、低成本、大批量消减，且不损伤硅片几何特性与表面质量，具有广泛的工业适用性。
天眼查资料显示，上海中欣晶圆半导体科技有限公司，成立于2019年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本48000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海中欣晶圆半导体科技有限公司参与招投标项目18次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息282条，此外企业还拥有行政许可77个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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