北京
国家知识产权局信息显示，陕西电子芯业时代科技有限公司申请一项名为“一种改善多晶硅薄膜表面粗糙度的方法”的专利，公开号CN121610892A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本发明提供一种改善多晶硅薄膜表面粗糙度的方法，包括以下步骤：S1、对置于所述气相沉积设备内的基底通入硅源气体，执行第一CVD工艺以在所述基底上形成多晶硅底晶层。本发明提供的一种改善多晶硅薄膜表面粗糙度的方法，通过第一CVD工艺形成多晶硅底晶层、第二CVD工艺表面修正底晶层及第三CVD工艺形成多晶硅顶层以构成多晶硅薄膜，其中，第一CVD工艺和第三CVD的气体源为硅烷，第二CVD工艺的气体源为氯气，第二CVD工艺可以对第一CVD工艺形成的多晶硅底晶层进行表界面修正，降低其粗糙度，并继续通过第三CVD工艺进行多晶硅顶层以构成多晶硅薄膜，从而使得所形成的多晶硅薄膜具有较低的表面粗糙度。
天眼查资料显示，陕西电子芯业时代科技有限公司，成立于2022年，位于西安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200000万人民币。通过天眼查大数据分析，陕西电子芯业时代科技有限公司参与招投标项目558次，专利信息29条，此外企业还拥有行政许可11个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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